二つの SIS が XRT の焦点面に搭載されており、 一つのセンサーは 11 mm 角のチップ 4 枚で構成されている。 また、チップ間には大小の溝がある。 SIS0 の chip 1 (s0c1) と、SIS1 の chip3 (s1c3) をノミナルチップ(nominal chip)と呼ぶ。
SIS に関する視野の概略図を図(1.2) に載せる。
SIS は入射してきたX線光子のエネルギーに応じて、 電子雲を空乏層につくる。 Si の平均電離エネルギーが 〜3.65 eV とガス(〜30 eV) とくらべて小さいこと、ファノファクターが小さいこと(〜0.1)、 ノイズが低いことから、エネルギー分解能 2.2% ( @5.9 keV ) を達成している 。 この電子雲はひとつのピクセルにとどまることも あれば、二つ以上のピクセルにスプリットしてしまうこともある。 そこで、SIS では、中心の波高値が最大であるような、3x3 の ピクセルに注目して、 スプリットの仕方で 8 つのグレードに分けている。 通常の解析では、グレード 0,2,3,4 や 0 のみが一般に使われる。
SIS の動作モードは大別して二種類あり、 観測モードと診断モードである。 通常観測は観測モードである。 観測モードのまとめを表(1.1) に載せる。
;; | 観測モード | ||
;; | Faint mode | Bright mode | Fast mode |
時間分解能 | 4/8/16 秒 | 4/8/16 秒 | 16 ミリ秒 |
;; | 1CCD/2CCD/4CCD モード | (1CCD モードのみ) | |
イベント転送率 | 128/16/4 | 512/64/16 | 1024/128/32 |
(events/秒/S0+S1) | bit rate High/Med/Low | ||
パルス高ビット数 | 12 | 11 | 11 |
(チャンネル数) | (4096) | (2048) | (2048) |
位置ビット数 | 1 | ||
;; | ;; | ;; | (時間ビット3) |
Grade判定 | なし | 8 通り | 2 通り |
;; | ;; | ;; | ;; |
SIS 特有の問題として、ホットピクセル、エコー現象、ダークフレームエラー、 パイルアップ、CTEの劣化、暗電流の増加等がある。 これらについては、ここでは省略するが理解しておくことが望ましい 。